打印页面
QH8MA3TCR
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QH8MA3TCR
库存编号2706593RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续7A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道7A
在电阻RDS（上）0.022ohm
连续漏极电流 Id P沟道7A
漏源通态电阻N沟道0.022ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.022ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型TSMT
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd2.5W
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
7A
连续漏极电流 Id N沟道
7A
连续漏极电流 Id P沟道
7A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
2.5W
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.022ohm
漏源通态电阻N沟道
0.022ohm
漏源导通电阻P沟道
0.022ohm
晶体管封装类型
TSMT
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005577