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QS8J4TR
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.04 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY7.070 (CNY7.9891) |
| 100+ | CNY5.040 (CNY5.6952) |
| 500+ | CNY4.060 (CNY4.5878) |
| 1000+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
| 5000+ | CNY3.090 (CNY3.4917) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QS8J4TR
库存编号3407064
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.04ohm
漏源导通电阻P沟道0.04ohm
晶体管封装类型TSMT
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源导通电阻P沟道
0.04ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
晶体管封装类型
TSMT
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005