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QS8J4TR
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.04 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号QS8J4TR
库存编号3407064RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续4A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道4A
在电阻RDS（上）0.04ohm
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.04ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.04ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型TSMT
功耗 Pd1.5W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
4A
连续漏极电流 Id N沟道
4A
连续漏极电流 Id P沟道
4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TSMT
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.04ohm
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
漏源导通电阻P沟道
0.04ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
1.5W
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005