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R6003JND4TL1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 1.3 A, 2.15 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY4.350 (CNY4.9155) |
| 500+ | CNY3.400 (CNY3.842) |
| 1000+ | CNY2.700 (CNY3.051) |
| 5000+ | CNY2.650 (CNY2.9945) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 100
多件: 1
CNY435.00 (CNY491.55 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.3A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
7.8W
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
2.15ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
7V
针脚数
3引脚
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002