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RTR020N05TL
功率场效应管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N通道, 45 V, 2 A, 0.25 ohm, TSMT, 表面安装
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| 100+ | CNY3.960 (CNY4.4748) |
| 500+ | CNY3.160 (CNY3.5708) |
| 1000+ | CNY2.570 (CNY2.9041) |
| 5000+ | CNY2.440 (CNY2.7572) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RTR020N05TL
库存编号1525560
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds45V
电流, Id 连续2A
漏源接通状态电阻0.25ohm
晶体管封装类型TSMT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散1W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The RTR020N05TL is a N-channel middle Power MOSFET offers 45V drain source voltage and ±2A continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.
- Low ON-resistance
- Space saving small surface-mount package
- 2.5V Low voltage drive
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2A
晶体管封装类型
TSMT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
45V
漏源接通状态电阻
0.25ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001058