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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号RZF030P01TL
库存编号2143954
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.028ohm
晶体管封装类型TUMT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值300mV
功率耗散800mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The RZF030P01TL is a P-channel silicon MOSFET offers -12V drain source voltage and ±3A continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.
- Low ON-resistance
- High power package
- 1.5V Low drive voltage
警告
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
TUMT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
800mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.028ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
300mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.003316