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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
39A
漏源接通状态电阻
0.06ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
165W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001