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| 5+ | CNY165.160 (CNY186.6308) |
| 10+ | CNY147.530 (CNY166.7089) |
| 50+ | CNY147.510 (CNY166.6863) |
| 100+ | CNY147.490 (CNY166.6637) |
| 250+ | CNY147.460 (CNY166.6298) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
81A
漏源接通状态电阻
0.018ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
4.8V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247N
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
312W
产品范围
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量(千克):.009525