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SH8J62TB1
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SH8J62TB1
库存编号3934723RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续4.5A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.04ohm
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.04ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.04ohm
晶体管封装类型SOP
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
4.5A
在电阻RDS（上）
0.04ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
漏源导通电阻P沟道
0.04ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOP
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005