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SH8J65TB1
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
7A
连续漏极电流 Id N沟道
7A
连续漏极电流 Id P沟道
7A
漏源通态电阻N沟道
0.0215ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOP
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.0215ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0215ohm
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005