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SH8K26GZ0TB1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SH8K26GZ0TB1
库存编号3976638RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续6A
连续漏极电流 Id N沟道6A
在电阻RDS（上）0.027ohm
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.027ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.027ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOP
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
6A
在电阻RDS（上）
0.027ohm
漏源通态电阻N沟道
0.027ohm
漏源导通电阻P沟道
0.027ohm
晶体管封装类型
SOP
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005