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SH8K26GZ0TB1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
SH8K26GZ0TB1 的替代之选
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技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.027ohm
漏源导通电阻P沟道
0.027ohm
晶体管封装类型
SOP
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
6A
在电阻RDS（上）
0.027ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005