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SP8K22HZGTB
双路场效应管, MOSFET, N通道, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY6.530 (CNY7.3789) |
| 1000+ | CNY6.170 (CNY6.9721) |
| 5000+ | CNY5.800 (CNY6.554) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号SP8K22HZGTB
库存编号3580397RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道45V
漏源电压, Vds45V
漏源电压Vds P沟道45V
电流, Id 连续4.5A
在电阻RDS（上）0.033ohm
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.046ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOP
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
45V
漏源电压Vds P沟道
45V
在电阻RDS（上）
0.033ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
45V
电流, Id 连续
4.5A
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.046ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOP
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005