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UMD12NTR
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP互补, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 100+ | CNY1.380 (CNY1.5594) |
| 500+ | CNY1.050 (CNY1.1865) |
| 1000+ | CNY0.770 (CNY0.8701) |
| 5000+ | CNY0.598 (CNY0.6757) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号UMD12NTR
库存编号1680393
产品范围UMD12N Series
技术数据表
晶体管极性NPN和PNP互补
数字晶体管极性NPN和PNP执行
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R147kohm
基极-发射极电阻R247kohm
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型SOT-363
射频晶体管封装SOT-363
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散150mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值68hFE
产品范围UMD12N Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The UMD12NTR is a PNP-NPN dual digital Bipolar Transistor with built-in resistors. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
警告
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技术规格
晶体管极性
NPN和PNP互补
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
晶体管封装类型
SOT-363
引脚数
6引脚
功率耗散
150mW
直流电流增益, Hfe 最小值
68hFE
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
NPN和PNP执行
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
47kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
SOT-363
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
UMD12N Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
UMD12NTR 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000035