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UMG9NTR
晶体管 双极预偏置/数字, 双路, 双NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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|---|---|
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| 1000+ | CNY0.747 (CNY0.8441) |
| 5000+ | CNY0.631 (CNY0.713) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号UMG9NTR
库存编号1680400RL
产品范围UMG9N Series
技术数据表
晶体管极性双NPN
数字晶体管极性双路 NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R2-
射频晶体管封装SOT-353
晶体管封装类型SOT-353
引脚数5引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散150mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值30hFE
产品范围UMG9N Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The UMG9NTR is a dual NPN digital Bipolar Transistor with built-in biasing resistors. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
警告
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技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
射频晶体管封装
SOT-353
引脚数
5引脚
功率耗散
150mW
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
双路 NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
-
晶体管封装类型
SOT-353
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
UMG9N Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000035