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UT6JB5TCR
双路场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.095 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号UT6JB5TCR
库存编号3639776RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续3.5A
在电阻RDS（上）0.095ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.5A
连续漏极电流 Id P沟道3.5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.095ohm
漏源导通电阻P沟道0.095ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型DFN2020
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.095ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.5A
漏源通态电阻N沟道
0.095ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
40V
电流, Id 连续
3.5A
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.095ohm
晶体管封装类型
DFN2020
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074