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UT6KC5TCR
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.073 ohm
产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号UT6KC5TCR
库存编号3796009RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续3.5A
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）0.073ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.5A
连续漏极电流 Id P沟道3.5A
漏源通态电阻N沟道0.073ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.073ohm
阈值栅源电压最大值2.5V
晶体管封装类型DFN2020
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
3.5A
在电阻RDS（上）
0.073ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.073ohm
晶体管封装类型
DFN2020
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
漏源通态电阻N沟道
0.073ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000026