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SKHI 22A H4 R
IGBT驱动器, 半桥, 8 A, 14.4 V至15.6 V, 模块
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产品信息
制造商SEMIKRON
制造商产品编号SKHI 22A H4 R
库存编号2423646
技术数据表
IGBT配置双 [半桥]
连续集电极电流-
驱动配置半桥
集电极-发射极饱和电压-
电源开关类型IGBT
功率耗散-
工作温度最高值85°C
晶体管封装类型SMD
IC 外壳 / 封装模块
IGBT端接焊接
最大集电极发射电压1.7kV
IGBT技术-
晶体管安装表面安装
电源电压最小值14.4V
产品范围SEMIDRIVER Series
电源电压最大值15.6V
输入延迟1µs
输出延迟1µs
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jun-2015)
产品概述
SKHI 22A H4 R is a SEMIDRIVER™ hybrid dual IGBT driver. It is used for IGBT modules in bridge circuits in industrial applications.
- Compatible to old SKHI 22, turn on gate voltage output is 15V typical
- CMOS compatible inputs, turn off gate voltage output is -7V typical
- Short protection by VCE monitoring and switch off
- Drive interlock top/bottom, internal gate emitter resistance is 22Kohm typical
- Isolation by transformers, input to output turn on propagation time is 1µs typical
- Supply undervoltage protection (13V)
- Error latch/output, error reset time is 9µs typical
- Supply voltage primary side is 15V typical
- Supply current primary side (no load) is 80mA typical
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
技术规格
IGBT配置
双 [半桥]
驱动配置
半桥
电源开关类型
IGBT
工作温度最高值
85°C
IC 外壳 / 封装
模块
最大集电极发射电压
1.7kV
晶体管安装
表面安装
产品范围
SEMIDRIVER Series
输入延迟
1µs
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jun-2015)
连续集电极电流
-
集电极-发射极饱和电压
-
功率耗散
-
晶体管封装类型
SMD
IGBT端接
焊接
IGBT技术
-
电源电压最小值
14.4V
电源电压最大值
15.6V
输出延迟
1µs
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.061991