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SKM100GB125DN
IGBT模块, 半桥, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module
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产品信息
制造商SEMIKRON
制造商产品编号SKM100GB125DN
库存编号2423681
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流100A
集电极-发射极饱和电压3.3V
功率耗散-
工作温度最高值150°C
IGBT端接螺柱
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术NPT IGBT [超快]
晶体管安装面板
产品范围-
产品概述
The SKM100GB125DN is a 1200V N-channel Ultra Fast IGBT Module with fast and soft inverse CAL diodes. This transistor is ideal for resonant inverters up to 100kHz and Electronic welders as well inductive heating.
- Low inductance
- Short tail current with low temperature dependence
- High short circuit capability
- Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology
- Large clearance (10mm) and creepage distances (20mm)
警告
静电敏感器件, 处理时应采取适当的防护措施, 不需要静电保护封装. 由于技术要求, 器件可能含有危险物质.
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
3.3V
工作温度最高值
150°C
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
连续集电极电流
100A
功率耗散
-
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
NPT IGBT [超快]
产品范围
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Italy
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Italy
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.18