打印页面
SKM200GB125D
IGBT模块, 半桥, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
1 有货
10 您现在可以预订货品了
1 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY2,645.150 (CNY2,989.0195) |
| 5+ | CNY2,568.950 (CNY2,902.9135) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY2,645.15 (CNY2,989.02 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商SEMIKRON
制造商产品编号SKM200GB125D
库存编号2423692
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流200A
集电极-发射极饱和电压3.3V
功率耗散-
工作温度最高值150°C
IGBT端接螺柱
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术NPT IGBT [超快]
晶体管安装面板
产品范围-
产品概述
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
3.3V
工作温度最高值
150°C
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
连续集电极电流
200A
功率耗散
-
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
NPT IGBT [超快]
产品范围
-
SKM200GB125D 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Slovak Republic
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Slovak Republic
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.18