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SKM200GB125D
IGBT模块, 半桥, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
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产品概述
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
3.3V
工作温度最高值
150°C
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
连续集电极电流
200A
功率耗散
-
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
NPT IGBT [超快]
产品范围
-
SKM200GB125D 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Slovak Republic
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Slovak Republic
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.18