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SKM200GB12E4
IGBT模块, 半桥, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
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产品信息
制造商SEMIKRON
制造商产品编号SKM200GB12E4
库存编号2423693
技术数据表
IGBT配置半桥
连续集电极电流313A
集电极-发射极饱和电压1.8V
功率耗散-
工作温度最高值175°C
IGBT端接螺柱
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术IGBT 4 [Trench]
晶体管安装面板
产品范围-
产品概述
The SKM200GB12E4 is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
1.8V
工作温度最高值
175°C
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
连续集电极电流
313A
功率耗散
-
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
IGBT 4 [Trench]
产品范围
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Slovak Republic
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Slovak Republic
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.18