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2N6661
功率场效应管, MOSFET, MOSPOWER, N通道, 90 V, 900 mA, 4 ohm, TO-205AF, 通孔
已停产
产品信息
制造商SOLID STATE
制造商产品编号2N6661
库存编号2630600
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds90V
电流, Id 连续900mA
漏源接通状态电阻4ohm
晶体管封装类型TO-205AF
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散6.25W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
2N6661 的替代之选
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产品概述
The 2N6661 is a 90V N-channel Enhancement Mode MOSFET designed for use in switching regulators, converters and motor drivers.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
900mA
晶体管封装类型
TO-205AF
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
6.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
90V
漏源接通状态电阻
4ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814