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GD50HFU120C1SD
IGBT模块, 半桥, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Module
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| 10+ | CNY267.860 (CNY302.6818) |
| 50+ | CNY252.420 (CNY285.2346) |
| 100+ | CNY247.460 (CNY279.6298) |
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产品概述
GD50HFU120C1SD is an IGBT power module that provides ultra switching speed as well as short circuit ruggedness. It is designed for the applications such as electronic welder, switching mode power supply and inductive heating.
- 1200V/50A 2 in one-package
- NPT IGBT technology
- 10μs short circuit capability
- Low switching losses
- VCE(sat) with positive temperature coefficient
- Low inductance case
- Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD
- Isolated copper baseplate using DBC technology
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
2.9V
工作温度最高值
125°C
IGBT端接
螺丝
IGBT技术
NPT 超快 IGBT
产品范围
-
连续集电极电流
82A
功率耗散
440W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536