打印页面
GD50HFU120C1SD
IGBT模块, 半桥, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Module
1,577 有货
需要更多？
1577 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY297.100 (CNY335.723) |
| 5+ | CNY279.120 (CNY315.4056) |
| 10+ | CNY259.300 (CNY293.009) |
| 50+ | CNY246.010 (CNY277.9913) |
| 100+ | CNY240.090 (CNY271.3017) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY297.10 (CNY335.72 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商STARPOWER
制造商产品编号GD50HFU120C1SD
库存编号4312702
IGBT配置半桥
连续集电极电流82A
集电极-发射极饱和电压2.9V
功率耗散440W
工作温度最高值125°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接螺丝
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术NPT 超快 IGBT
晶体管安装面板
产品范围-
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
技术规格
IGBT配置
半桥
集电极-发射极饱和电压
2.9V
工作温度最高值
125°C
IGBT端接
螺丝
IGBT技术
NPT 超快 IGBT
产品范围
-
连续集电极电流
82A
功率耗散
440W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536