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产品概述
The 2STBN15D100 is a NPN low voltage power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. It is suitable for use with linear and switching industrial equipment.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode
警告
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技术规格
晶体管极性
NPN
最大集电极发射电压
100V
功耗 Pd
70W
功率耗散
70W
射频晶体管封装
TO-263 (D2PAK)
直流电流增益, hFE
750hFE
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
集电极发射电压, Vceo
100V
连续集电极电流
12A
集电极直流电流
12A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
针脚数
3引脚
过渡频率
-
直流电流增益, Hfe 最小值
750hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001926