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产品概述
The BD241C is a 100V Silicon NPN Complementary Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
- Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
5A
晶体管封装类型
TO-220
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
25hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
40W
晶体管安装
通孔
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002