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产品概述
The BD679 is a 60V Silicon NPN Complementary Power Darlington Transistor manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Monolithic Darlington configuration with integrated anti parallel collector-emitter diode. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
40W
射频晶体管封装
SOT-32
直流电流增益, hFE
750hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
80V
集电极直流电流
4A
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
BD679 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:India
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:India
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001814