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产品信息
制造商产品编号BD911
库存编号1084518
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压100V
连续集电极电流15A
功率耗散90W
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
针脚数3引脚
过渡频率3MHz
直流电流增益, Hfe 最小值50hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BD911 from STMicroelectronics is a through hole NPN complementary power transistors in TO-220 package. This device manufactured in epitaxial planar technology.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
- Collector current (Ic) is 15A
- Power dissipation (Pd) is 90W
- Collector to emitter saturation voltage of 3V at 10A collector current
- DC current gain (hFE) of 5 at 10A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
15A
晶体管封装类型
TO-220AB
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
50hFE
产品范围
-
MSL
-
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
90W
晶体管安装
通孔
过渡频率
3MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.004536