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产品信息
制造商产品编号BDW93C
库存编号1015773
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo100V
功耗 Pd80W
集电极直流电流12A
射频晶体管封装TO-220
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE100hFE
晶体管安装通孔
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BDW93C is a 100V Silicon Epitaxial Base NPN Power Transistor in monolithic Darlington configuration. It is intended for use in power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Complementary to the BDW94C
- Integrated anti-parallel collector-emitter diode
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
警告
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技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
80W
射频晶体管封装
TO-220
直流电流增益, hFE
100hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
12A
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002