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产品概述
The BDX33C is a NPN complementary silicon power Darlington Transistor with built-in epitaxial planar technology. Designed for use in power linear and switching applications.
- Complement to BDX34C
- 0.25A Base current
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
70W
射频晶体管封装
TO-220
直流电流增益, hFE
750hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
10A
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
BDX33C 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量(千克):.002