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产品信息
制造商产品编号BDX53C
库存编号9946497
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo100V
功耗 Pd60W
集电极直流电流8A
射频晶体管封装TO-220
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE750hFE
晶体管安装通孔
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BDX53C from STMicroelectronics is a through hole complementary power darlington transistor in TO-220 package. This device manufactured in planar base island technology with monolithic darlington configuration. This transistor features good DC gain and high fT frequency. BDX53C is typically suited for linear, switching industrial equipment and audio amplification.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
- Collector current (Ic) is 8A
- Power dissipation (Pd) is 60W
- Collector to emitter saturation voltage of 2V at 3A collector current
- DC current gain (hFE) of 750 at 3A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
60W
射频晶体管封装
TO-220
直流电流增益, hFE
750hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
8A
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002