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L6384ED013TR
MOSFET驱动器, 半桥, 11.5 V至16.6 V电源, 650 mA输出, 250 ns延迟, SOIC-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.700 (CNY22.261) |
| 10+ | CNY11.350 (CNY12.8255) |
| 50+ | CNY10.330 (CNY11.6729) |
| 100+ | CNY9.300 (CNY10.509) |
| 250+ | CNY8.790 (CNY9.9327) |
| 500+ | CNY7.690 (CNY8.6897) |
| 1000+ | CNY6.700 (CNY7.571) |
| 2500+ | CNY6.500 (CNY7.345) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商产品编号L6384ED013TR
库存编号2762680
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置半桥
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型反相
拉电流400mA
灌电流650mA
电源电压最小值11.5V
电源电压最大值16.6V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟200ns
输出延迟250ns
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
400mA
电源电压最小值
11.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
200ns
产品范围
-
MSL
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相
灌电流
650mA
电源电压最大值
16.6V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
250ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454