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L6398D
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-8
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|---|---|
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| 50+ | CNY9.850 (CNY11.1305) |
| 100+ | CNY9.290 (CNY10.4977) |
| 250+ | CNY8.650 (CNY9.7745) |
| 500+ | CNY8.410 (CNY9.5033) |
| 1000+ | CNY7.820 (CNY8.8366) |
| 2500+ | CNY7.650 (CNY8.6445) |
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产品信息
制造商产品编号L6398D
库存编号2311310
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型IGBT, MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型反相, 非反相
拉电流290mA
灌电流430mA
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟125ns
输出延迟125ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
L6398D是一款高电压, 高和低压侧驱动器, 采用BCD OFF-LINE技术制造。该器件是一款单芯片半桥栅极驱动器, 用于N沟道功率MOSFET或IGBT。高压侧 (浮动)部分设计可承受600V电压轨。逻辑输入兼容3.3V CMOS/TTL, 可轻松连接微控制器/DSP。
- CMOS/TTL输入比较器, 带迟滞
- 集成自举二极管
- 固定320ns死区时间
- 联锁功能
- 紧凑型, 简单布局
- 减少物料清单
- 灵活, 简单, 快速
- 整个温度范围内dV/dt抗扰度为±50V/ns
- 驱动器电流能力: 290mA拉电流和430mA灌电流
- 75/35ns上升/下降, 1nF负载切换时间
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
290mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
125ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相, 非反相
灌电流
430mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
125ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536