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L6398D
驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.600 (CNY13.108) |
| 10+ | CNY7.780 (CNY8.7914) |
| 50+ | CNY7.670 (CNY8.6671) |
| 100+ | CNY7.550 (CNY8.5315) |
| 250+ | CNY7.430 (CNY8.3959) |
| 500+ | CNY7.310 (CNY8.2603) |
| 1000+ | CNY7.190 (CNY8.1247) |
| 2500+ | CNY7.070 (CNY7.9891) |
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产品概述
L6398D是一款高电压, 高和低压侧驱动器, 采用BCD OFF-LINE技术制造。该器件是一款单芯片半桥栅极驱动器, 用于N沟道功率MOSFET或IGBT。高压侧 (浮动)部分设计可承受600V电压轨。逻辑输入兼容3.3V CMOS/TTL, 可轻松连接微控制器/DSP。
- CMOS/TTL输入比较器, 带迟滞
- 集成自举二极管
- 固定320ns死区时间
- 联锁功能
- 紧凑型, 简单布局
- 减少物料清单
- 灵活, 简单, 快速
- 整个温度范围内dV/dt抗扰度为±50V/ns
- 驱动器电流能力: 290mA拉电流和430mA灌电流
- 75/35ns上升/下降, 1nF负载切换时间
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
290mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
125ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相, 非反相
灌电流
430mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
125ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001