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M24LR04E-RMN6T/2
EEPROM, 4 Kbit, 512 x 8位, I2C, 400 kHz, SOIC, 8 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商产品编号M24LR04E-RMN6T/2
库存编号2291181
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| 10+ | CNY4.150 (CNY4.6895) |
| 50+ | CNY4.120 (CNY4.6556) |
| 100+ | CNY4.080 (CNY4.6104) |
| 250+ | CNY3.980 (CNY4.4974) |
| 500+ | CNY3.960 (CNY4.4748) |
| 1000+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 2500+ | CNY3.670 (CNY4.1471) |
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最低: 1
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产品信息
制造商产品编号M24LR04E-RMN6T/2
库存编号2291181
技术数据表
存储密度4Kbit
记忆配置512 x 8位
接口I2C
时钟频率最大值400kHz
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
电源电压最小值1.8V
电源电压最大值5.5V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围4Kbit I2C Serial EEPROM
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
M24LR04E-RMN6T/2是一款动态NFC/RFID标签芯片, 双接口, 4kb电可擦除可编程存储器 (EEPROM)。配有I²C接口, 可以由VCC电源供电。该器件也是一款非接触式存储器, 由载波电磁波供电。芯片在I²C 模式下组织为512 x 8位, 在RF模式下组织为128 x 32位。该器件还具有能量收集模拟输出, 以及用户可配置数字输出引脚切换, RF写入进行中或RF繁忙模式。
- 随机与顺序读取模式
- 自定时编程周期
- 地址自动递增
- 增强静电/闭锁保护
- 用户可配置引脚 - RF写入进行中或RF繁忙模式
- 模拟引脚用于能量收集
- 4个灌电流可配置范围
- 超过100万次写入周期
- 数据保留超过40年
- RF模式多密码保护
- I²C模式单密码保护
警告
静电敏感型设备, 在处理设备时请采取适当的保护措施。该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
存储密度
4Kbit
接口
I2C
IC 外壳 / 封装
SOIC
电源电压最小值
1.8V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
记忆配置
512 x 8位
时钟频率最大值
400kHz
针脚数
8引脚
电源电压最大值
5.5V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
4Kbit I2C Serial EEPROM
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0008