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500+ | CNY2.190 (CNY2.4747) |
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产品信息
制造商产品编号MJD112T4
库存编号2341708
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射电压, Vceo100V
功耗 Pd20W
集电极直流电流2A
射频晶体管封装TO-252 (DPAK)
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE200hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The MJD112T4 is a NPN complementary power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. It has monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
20W
射频晶体管封装
TO-252 (DPAK)
直流电流增益, hFE
200hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
2A
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00049