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MJD112T4
林顿晶体管, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 引脚
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| 10+ | CNY4.530 (CNY5.1189) |
| 100+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 500+ | CNY2.280 (CNY2.5764) |
| 1000+ | CNY1.830 (CNY2.0679) |
| 5000+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
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产品概述
The MJD112T4 is a NPN complementary power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. It has monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
技术规格
晶体管极性
NPN
功耗 Pd
20W
射频晶体管封装
TO-252 (DPAK)
直流电流增益, hFE
200hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
2A
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00049