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MJD127T4
林顿晶体管, 达林顿, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 引脚
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| 100+ | CNY3.750 (CNY4.2375) |
| 500+ | CNY3.100 (CNY3.503) |
| 1000+ | CNY2.650 (CNY2.9945) |
| 5000+ | CNY2.140 (CNY2.4182) |
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产品信息
制造商产品编号MJD127T4
库存编号1703977
技术数据表
晶体管极性PNP
集电极发射电压, Vceo100V
功耗 Pd20W
集电极直流电流8A
射频晶体管封装TO-252 (DPAK)
针脚数3引脚
直流电流增益, hFE100hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The MJD127T4 is a PNP complementary power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Integrated anti-parallel collector-emitter diode
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
PNP
功耗 Pd
20W
射频晶体管封装
TO-252 (DPAK)
直流电流增益, hFE
100hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极直流电流
8A
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00045