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| 10+ | CNY6.470 (CNY7.3111) |
| 100+ | CNY4.370 (CNY4.9381) |
| 500+ | CNY3.420 (CNY3.8646) |
| 1000+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
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产品信息
制造商产品编号MJD31CT4
库存编号1467922
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压100V
连续集电极电流3A
功率耗散15W
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率-
直流电流增益, Hfe 最小值10hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The MJD31CT4 is a NPN low voltage Power Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
- Surface-mount power package
- PNP complementary to the type is MJD32C
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
3A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
10hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
15W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000383