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产品概述
The MJE3055T is a 60V Silicon Epitaxial Base NPN Power Transistor intended for power switching circuits and general purpose amplifiers. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Complementary to the MJE2955T
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
10A
晶体管封装类型
TO-220
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
400hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
最大集电极发射电压
60V
功率耗散
75W
晶体管安装
通孔
过渡频率
2MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
MJE3055T 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.004536