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SCT018H65G3AG
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 55 A, 650 V, 0.027 ohm, H2PAK
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY117.860 (CNY133.1818) |
| 5+ | CNY115.610 (CNY130.6393) |
| 10+ | CNY113.360 (CNY128.0968) |
| 50+ | CNY111.100 (CNY125.543) |
| 100+ | CNY108.850 (CNY123.0005) |
| 250+ | CNY106.590 (CNY120.4467) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY117.86 (CNY133.18 含税)
品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
55A
漏源接通状态电阻
0.027ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.2V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
H2PAK
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
385W
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001