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产品信息
制造商产品编号SCTH35N65G2V-7AG
库存编号3764233
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续45A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.045ohm
晶体管封装类型H2PAK
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3.2V
功率耗散208W
工作温度最高值175°C
产品范围-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
45A
漏源接通状态电阻
0.045ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
3.2V
工作温度最高值
175°C
MSL
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
H2PAK
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
208W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00154