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产品概述
SCTL90N65G2V 是一款碳化硅功率 MOSFET。这款碳化硅功率 MOSFET 器件采用ST先进的创新型第二代 SiC MOSFET 技术开发而成。该器件的单位面积导通电阻非常低,开关性能非常好。开关损耗的变化几乎不受结温的影响。典型应用包括开关模式电源、DC-DC 转换器和工业电机控制。
- 非常快速和坚固的本体二极管,低电容
- 源极检测引脚可提高效率
- 在VGS = 0V、ID = 1mA 时,漏源击穿电压最低为 650V
- 在 VGS = 18V、ID = 40A 时,静态漏源导通电阻最大为 24 mohm
- 在TC = 25°C 时,漏极电流(连续)为 40A
- 在VDS = 400V、f = 1MHz、VGS = 0V 时,典型输入电容为 3380pF
- 上升时间为 38ns typ,VDD = 400V,ID = 50A,RG = 2.2ohm,VGS = -5V 至 18V
- PowerFLAT 8x8 HV 封装
- 工作结温范围: -55至175°C
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
40A
漏源接通状态电阻
0.018ohm
针脚数
5引脚
阈值栅源电压最大值
3.2V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
PowerFLAT
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
935W
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00018