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|---|---|
| 1+ | CNY142.250 (CNY160.7425) |
| 5+ | CNY128.030 (CNY144.6739) |
| 10+ | CNY120.440 (CNY136.0972) |
| 50+ | CNY111.900 (CNY126.447) |
| 100+ | CNY104.320 (CNY117.8816) |
| 250+ | CNY100.520 (CNY113.5876) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
36A
漏源接通状态电阻
0.07ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
2.45V
工作温度最高值
200°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HiP247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
278W
产品范围
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0045