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STB13007DT4
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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产品信息
制造商产品编号STB13007DT4
库存编号2341711
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压400V
连续集电极电流8A
功率耗散80W
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率-
直流电流增益, Hfe 最小值18hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The STB13007DT4 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure to enhance switching speeds. Improved specification offers lower leakage current, tighter gain range, DC current gain pre-selection and tighter storage time range.
- Integrated free-wheeling diode
- Low spread of dynamic parameters
- Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
- Very high switching speed
- Large RBSOA
- In compliance with the 2002/93/EC European directive
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
8A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
18hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
400V
功率耗散
80W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00196