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STB42N65M5
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 33 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 10+ | CNY56.230 (CNY63.5399) |
| 50+ | CNY55.050 (CNY62.2065) |
| 100+ | CNY53.860 (CNY60.8618) |
| 250+ | CNY52.670 (CNY59.5171) |
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产品信息
制造商产品编号STB42N65M5
库存编号2098141
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续33A
漏源接通状态电阻0.07ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散190W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The STB42N65M5 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. The MDmesh™ V is a revolutionary Power MOSFET technology based on an innovative proprietary vertical process, which is combined with STMicroelectronics' well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFET, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiencies.
- TO-220 worldwide best RDS (ON)
- Higher VDSS rating
- High dV/dt capability
- Easy to drive
- 100% Avalanche tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
190W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.07ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001715