打印页面
STB80N20M5
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
802 有货
需要更多？
20 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
782 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY48.390 (CNY54.6807) |
| 5+ | CNY40.960 (CNY46.2848) |
| 10+ | CNY33.530 (CNY37.8889) |
| 50+ | CNY32.320 (CNY36.5216) |
| 100+ | CNY31.100 (CNY35.143) |
| 250+ | CNY29.880 (CNY33.7644) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY48.39 (CNY54.68 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商产品编号STB80N20M5
库存编号2849650
产品范围Mdmesh V
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续61A
漏源接通状态电阻0.019ohm
晶体管封装类型TO-262
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散190W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Mdmesh V
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
61A
晶体管封装类型
TO-262
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
190W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
Mdmesh V
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002