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STB80NF55-08AG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商产品编号STB80NF55-08AG
库存编号3132714RL
产品范围STripFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续80A
漏源接通状态电阻0.0065ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散300W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
STB80NF55-08AG 的替代之选
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.0065ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
STripFET
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001929