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STD10NF10T4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 13 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 50+ | CNY4.340 (CNY4.9042) |
| 100+ | CNY4.320 (CNY4.8816) |
| 500+ | CNY4.300 (CNY4.859) |
| 1000+ | CNY4.180 (CNY4.7234) |
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产品信息
制造商产品编号STD10NF10T4
库存编号1175682
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续13A
漏源接通状态电阻0.13ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散50W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
STD10NF10T4是一款STripFET™ II N沟道功率MOSFET, 设计用于降低输入电容和栅极电荷。适合用作高效率高频隔离DC-DC转换器的主开关, 用于电信和计算机应用。还适用于需要低栅极驱动的应用。
- 出色的dv/dt能力
- 针对应用的表征
- 工作结温范围: -55到175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
13A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
50W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.13ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004