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STD10P6F6
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品概述
- 60V, 10A P-channel STripFET™ F6 Power MOSFET in 3 pin DPAK package
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
- Suitable for switching applications
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
10A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
35W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.16ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
DeepGATE STripFET VI
湿气敏感性等级
-
STD10P6F6 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000399