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STD1NK80ZT4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.010 | CNY40.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 50+ | CNY6.680 (CNY7.5484) |
| 100+ | CNY5.350 (CNY6.0455) |
| 500+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
| 1000+ | CNY3.850 (CNY4.3505) |
品項附註
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产品信息
制造商产品编号STD1NK80ZT4
库存编号
复卷1752024RL
切割卷带1752024
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续1A
漏源接通状态电阻16ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.75V
功率耗散45W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
- 800V, 1A N-channel zener protected SuperMESH™ MOSFET in 3 pin DPAK package
- Extremely high dv/dt capability
- Improved ESD capability
- 100% avalanche tested
- New high voltage benchmark
- Gate charge minimized
- Extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout
- Suitable for AC adapters, battery chargers and SMPS
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
45W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
16ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000428