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STD20NF06LT4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 50+ | CNY6.010 (CNY6.7913) |
| 100+ | CNY5.350 (CNY6.0455) |
| 500+ | CNY4.470 (CNY5.0511) |
| 1000+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
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产品信息
制造商产品编号STD20NF06LT4
库存编号9935371
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续24A
漏源接通状态电阻0.04ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散60W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
STD20NF06LT4 是一款STripFET™ II N沟道功率MOSFET, 采用STMicroelectronics独特的Single Feature Size™工艺开发。该器件具有高封装密度, 低导通电阻, 优秀的雪崩特性, 较少关键对准步骤, 提供良好的制造可重复性。
- 出色的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 针对应用的表征
- 工作结温范围-55至175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
24A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
60W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.04ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001285