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STD25N10F7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.360 (CNY12.8368) |
| 10+ | CNY7.150 (CNY8.0795) |
| 100+ | CNY4.750 (CNY5.3675) |
| 500+ | CNY4.740 (CNY5.3562) |
| 1000+ | CNY4.730 (CNY5.3449) |
| 5000+ | CNY4.720 (CNY5.3336) |
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最低: 1
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产品信息
制造商产品编号STD25N10F7
库存编号3129879
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续25A
漏源接通状态电阻0.027ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散40W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围STripFET VII DeepGATE
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
25A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
40W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.027ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
STripFET VII DeepGATE
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00035