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STD2NK100Z
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1 kV, 1.85 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 10+ | CNY14.430 (CNY16.3059) |
| 100+ | CNY10.030 (CNY11.3339) |
| 500+ | CNY8.420 (CNY9.5146) |
| 1000+ | CNY6.970 (CNY7.8761) |
| 5000+ | CNY6.840 (CNY7.7292) |
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产品信息
制造商产品编号STD2NK100Z
库存编号2098166
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds1kV
电流, Id 连续1.85A
漏源接通状态电阻8.5ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.75V
功率耗散70W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
- 1000V, 1.85A N-channel SuperMESH™ power MOSFETs in 3 pin DPAK package
- Extremely high dv/dt capability
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Optimization of the well established PowerMESH™
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.85A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
70W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
8.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.75V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001089